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Dispositivos basados en In₀.₁₉Ga₀.₈₁N/GaN sobre Si(111) y Al₂O₃(1012)
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido, 2024)