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Diseño y fabricación de transistores de capas finas basados en Hf-In-ZnO y HfO2 de alta movilidad y bajo voltaje de operación
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido, 2021)