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Mostrando ítems 1-2 de 2
Desarrollo teórico y experimental de amplificadores de alta eficiencia clase F y F inverso de banda ancha utilizando transistores GaN HEMTs
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara., 2012)
Diseño de un pre-amplificador de potencia altamente lineal para banda S basado en GaN y utilizando estructuras Spur-lines
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara., 2012)