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dc.contributor.authorÁvila Herrera, Fernando
dc.date.accessioned2021-05-27T22:00:09Z
dc.date.available2021-05-27T22:00:09Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/2717
dc.formatpdf
dc.format.extentxviii, 95 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica/Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.63
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherSemiconductors||Integrated circuits||Metal oxide semiconductor field-effect transistors||Dissertations, Academic
dc.titleEstudio y modelación de transistores MOS nanométricos del tipo sin uniones
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorCerdeira Altuzarra, Antonio
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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