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dc.contributor.authorVillagrán Ocádiz, Marco Antonio
dc.date.accessioned2021-05-29T00:22:57Z
dc.date.available2021-05-29T00:22:57Z
dc.date.issued2018
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/2854
dc.formatpdf
dc.format.extent94 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica/Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.63
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherMetal oxide semiconductor field-effect transistors||Nanostructured materials||Metallic films::Size effects||Semiconductor doping||Zinc oxide thin films||Dissertations, Academic
dc.titlePropiedades de ZnO nanoestructurado obtenido por la oxidación térmica de capas de zinc depositadas por CSS
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorMorales Acevedo, José Arturo
dc.contributor.directorPérez Sánchez, Gerardo Francisco
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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