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Estudio del efecto de la longitud de compuerta en el desempeño del HEMT AlGaN/GaN

dc.contributor.authorMontiel Rodríguez, Ana Larissa
dc.date.accessioned2021-05-29T00:23:02Z
dc.date.available2021-05-29T00:23:02Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/2863
dc.formatpdf
dc.format.extentxiii, 65 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica/Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.63
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherModulation-doped field-effect transistors||Semiconductors::Characterization||Transistors||Dissertations, Academic
dc.titleEstudio del efecto de la longitud de compuerta en el desempeño del HEMT AlGaN/GaN
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorMimila Arroyo, Jaime
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0015190.pdf
Tamaño:
3.722Mb
Formato:
PDF
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