Estabilidad de la pasivación por hidrógeno de defectos en HEMTs AlGaN/GaN

dc.contributor.author	Arreola Pina, Alma Sofía
dc.date.accessioned	2022-07-26T15:45:43Z
dc.date.available	2022-07-26T15:45:43Z
dc.date.issued	2021
dc.identifier.uri	https://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/4020
dc.format	pdf
dc.format.extent	ii, 119 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.iso	spa
dc.publisher	Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.other	Modulation-doped field-effect transistors\|\|Deuterium\|\|Gallium compounds::Semiconductors\|\|Dissertations, Academic
dc.title	Estabilidad de la pasivación por hidrógeno de defectos en HEMTs AlGaN/GaN
dc.type	doctoralThesis
dc.contributor.director	Mimila Arroyo, Jaime
dc.identificator	7
dc.coverage.placeofpublication	Ciudad de México
dc.description.institution	CINVESTAV
dc.description.unidad	Zacatenco-CDMX
dc.thesis.area	Tecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartment	Ingeniería Eléctrica
dc.thesis.degreediscipline	Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.access	openAccess

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