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Estabilidad de la pasivación por hidrógeno de defectos en HEMTs AlGaN/GaN

dc.contributor.authorArreola Pina, Alma Sofía
dc.date.accessioned2022-07-26T15:45:43Z
dc.date.available2022-07-26T15:45:43Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/4020
dc.formatpdf
dc.format.extentii, 119 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherModulation-doped field-effect transistors||Deuterium||Gallium compounds::Semiconductors||Dissertations, Academic
dc.titleEstabilidad de la pasivación por hidrógeno de defectos en HEMTs AlGaN/GaN
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorMimila Arroyo, Jaime
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0019049.pdf
Tamaño:
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Formato:
PDF
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