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Estudio de la heteroestructura GaN/AIN/Si(111) crecidas por epitaxia de haces moleculares

dc.contributor.authorZambrano Serrano, Mario Alberto
dc.date.accessioned2022-10-31T20:32:26Z
dc.date.available2022-10-31T20:32:26Z
dc.date.issued2022
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/4182
dc.formatpdf
dc.format.extent101 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Programa Multidisciplinario de Nanociencias y Nanotecnología
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherHeterostructures||Gallium nitride||Silicon||Aluminum nitride||Molecular beam epitaxy||Dissertations, Academic
dc.titleEstudio de la heteroestructura GaN/AIN/Si(111) crecidas por epitaxia de haces moleculares
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorLópez López, Máximo
dc.contributor.directorGallardo Hernández, Salvador
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplinePrograma Multidisciplinario de Nanociencias y Nanotecnología
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0019195.pdf
Tamaño:
4.807Mb
Formato:
PDF
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