Mostrar el registro sencillo del ítem

Estudio de heteroestructuras de InxGa1-xN/GaN en fase metaestable crecidas por epitaxia de haces moleculares

dc.contributor.authorCamacho Reynoso, Marlene
dc.date.accessioned2023-03-20T00:46:12Z
dc.date.available2023-03-20T00:46:12Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/4269
dc.formatpdf
dc.format.extent108 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Programa Multidiciplinario de Nanociencias y Nanotecnología
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherMolecular beam epitaxy||Nitrides||Electronics||Engineering||Dissertations, Academic
dc.titleEstudio de heteroestructuras de InxGa1-xN/GaN en fase metaestable crecidas por epitaxia de haces moleculares
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorKudriavtsev, Yury Alekseevich
dc.contributor.directorCasallas Moreno, Yenny Lucero
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplinePrograma Multidisciplinario de Nanociencias y Nanotecnología
dc.rights.accessopenAccess


Ficheros en el ítem

Thumbnail
Nombre:
SSIT0019291.pdf
Tamaño:
6.428Mb
Formato:
PDF
Ver/

Este ítem aparece en la(s) siguiente(s) colección(ones)

Mostrar el registro sencillo del ítem

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
Excepto si se señala otra cosa, la licencia del ítem se describe como http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4