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Sobre la estabilidad de capas de CsxFA ₍₁₋x₎ PbI₃ depositadas por rotación en un solo paso

dc.contributor.authorRamirez Iturbe, Olaf
dc.date.accessioned2023-05-11T15:40:23Z
dc.date.available2023-05-11T15:40:23Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/4339
dc.formatpdf
dc.format.extent72 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherSolar cells::Design and construction||Perovskite (Mineral)||Direct energy conversion||Dissertations, Academic
dc.titleSobre la estabilidad de capas de CsxFA ₍₁₋x₎ PbI₃ depositadas por rotación en un solo paso
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorMorales Acevedo, José Arturo
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0019362.pdf
Tamaño:
3.127Mb
Formato:
PDF
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