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The initial stages of the ALD growth of HfO₂ films on SiO₂ and H-terminated Si (001) substrates = Las etapas iniciales del crecimiento por ALD de películas de HfO₂ sobre substratos de Si (001) terminados en H y SiO₂

dc.contributor.authorMorales Acosta, Mayra Daniela
dc.date.accessioned2023-10-25T20:46:56Z
dc.date.available2023-10-25T20:46:56Z
dc.date.issued2007
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/4578
dc.formatpdf
dc.format.extentxvi, 97 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isoeng
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Querétaro
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherDissertations, Academic
dc.titleThe initial stages of the ALD growth of HfO₂ films on SiO₂ and H-terminated Si (001) substrates = Las etapas iniciales del crecimiento por ALD de películas de HfO₂ sobre substratos de Si (001) terminados en H y SiO₂
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorHerrera Gómez, Alberto
dc.contributor.directorAguirre Tostado, Fransisco Servando
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationSantiago de Querétaro, Querétaro, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Querétaro
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentUnidad Querétaro
dc.thesis.degreedisciplineIngeniería de Materiales
dc.rights.accessopenAccess


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SSIT000006241.pdf
Tamaño:
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Formato:
PDF
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