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Transistor de efecto de campo con compuerta de silicio nanoestructurado

dc.contributor.authorHernández Rodríguez, María Fernanda
dc.date.accessioned2024-06-05T17:21:25Z
dc.date.available2024-06-05T17:21:25Z
dc.date.issued2023
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/5304
dc.formatpdf
dc.format.extentxii, 69 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherSemiconductors||Nanostructured materials||Nanotechnology||Porous silicon||Photolithography||Dissertations, Academic
dc.titleTransistor de efecto de campo con compuerta de silicio nanoestructurado
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorRomero Paredes Rubio, Gabriel
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0018220.pdf
Tamaño:
8.627Mb
Formato:
PDF
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