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Diseño, fabricación y caracterización de estructuras metal-dieléctrico-semiconductor (MDS), con MoS₂ como semiconductor, para utilizar en transistores de efecto de campo (FETs)

dc.contributor.authorGarcía Soriano, Abril Abilene
dc.date.accessioned2024-12-09T16:33:06Z
dc.date.available2024-12-09T16:33:06Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/5542
dc.formatpdf
dc.format.extent75 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.3
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherSemiconductors||Sputtering (Physics)||Dielectric films||Coatings||Dissertations, Academic
dc.titleDiseño, fabricación y caracterización de estructuras metal-dieléctrico-semiconductor (MDS), con MoS₂ como semiconductor, para utilizar en transistores de efecto de campo (FETs)
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorEstrada del Cueto, Magali
dc.contributor.directorCerdeira Altuzarra, Antonio
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0018490.pdf
Tamaño:
1.635Mb
Formato:
PDF
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