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Estudio de la nitruración de HfO₂/Si mediante espectroscopía fotoelectrónica de rayos-X

dc.contributor.authorMayorga Garay, Marisol
dc.date.accessioned2025-06-30T18:10:44Z
dc.date.available2025-06-30T18:10:44Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/5895
dc.formatpdf
dc.format.extentxxvi, 173 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del Instituto Politécnico Nacional. Unidad Querétaro
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherX-ray photoelectron spectroscopy||Hafnium oxide||Metal oxide semiconductor field-effect transistors||Dissertations, Academic
dc.titleEstudio de la nitruración de HfO₂/Si mediante espectroscopía fotoelectrónica de rayos-X
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorHerrera Gómez, Alberto
dc.contributor.directorLuna Bugallo, Andrés de
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationSantiago de Querétaro, Querétaro, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Querétaro
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentUnidad Querétaro
dc.thesis.degreedisciplineIngeniería de Materiales
dc.rights.accessopenAccess


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SSIT0018647.pdf
Tamaño:
18.17Mb
Formato:
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