Desarrollo teórico y experimental de amplificadores de alta eficiencia clase F y F inverso de banda ancha utilizando transistores GaN HEMTs

dc.contributor.author	García Osorio, Alberto
dc.date.accessioned	2020-08-07T17:28:44Z
dc.date.available	2020-08-07T17:28:44Z
dc.date.issued	2012
dc.identifier.uri	https://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/592
dc.format	pdf
dc.format.extent	xv, 120 p. :28 cm.
dc.language.iso	spa
dc.publisher	Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara.
dc.rights.uri	http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classification	INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.other	Power amplifiers
dc.subject.other	Gallium nitride
dc.subject.other	Modulation-doped field-effect transistors
dc.subject.other	Dissertations, Academic
dc.title	Desarrollo teórico y experimental de amplificadores de alta eficiencia clase F y F inverso de banda ancha utilizando transistores GaN HEMTs
dc.type	doctoralThesis
dc.contributor.director	Loo Yau, José Raúl
dc.contributor.director	Reynoso Hernández, J Apolinar
dc.identificator	7
dc.identifier.marc	01917cam a2200373 a 4500
dc.coverage.placeofpublication	Guadalajara, Jalisco, México
dc.description.institution	CINVESTAV
dc.description.unidad	Unidad Guadalajara
dc.thesis.area	Tecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreediscipline	Diseúo Electrónico.
dc.rights.access	openAccess

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