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dc.contributor.authorGarcía Osorio, Alberto
dc.date.accessioned2020-08-07T17:28:44Z
dc.date.available2020-08-07T17:28:44Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/592
dc.formatpdf
dc.format.extentxv, 120 p. :28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara.
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherPower amplifiers
dc.subject.otherGallium nitride
dc.subject.otherModulation-doped field-effect transistors
dc.subject.otherDissertations, Academic
dc.titleDesarrollo teórico y experimental de amplificadores de alta eficiencia clase F y F inverso de banda ancha utilizando transistores GaN HEMTs
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorLoo Yau, José Raúl
dc.contributor.directorReynoso Hernández, J Apolinar
dc.identificator7
dc.identifier.marc01917cam a2200373 a 4500
dc.coverage.placeofpublicationGuadalajara, Jalisco, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Guadalajara
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplineDiseúo Electrónico.
dc.rights.accessopenAccess


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