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Diseño de un pre-amplificador de potencia altamente lineal para banda S basado en GaN y utilizando estructuras Spur-lines

dc.contributor.authorGómez Pichardo, Olaf Ismael
dc.date.accessioned2020-08-07T17:28:56Z
dc.date.available2020-08-07T17:28:56Z
dc.date.issued2012
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/593
dc.formatpdf
dc.format.extentx, 67 p. :28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara.
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherPower amplifiers
dc.subject.otherGallium nitride
dc.subject.otherModulation-doped field-effect transistors
dc.subject.otherDissertations, Academic
dc.titleDiseño de un pre-amplificador de potencia altamente lineal para banda S basado en GaN y utilizando estructuras Spur-lines
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorLoo Yau, José Raúl
dc.identificator7
dc.identifier.marc01794cam a2200373 a 4500
dc.coverage.placeofpublicationGuadalajara, Jalisco, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Guadalajara
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplineDiseúo Electrónico.
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0011154.pdf
Tamaño:
53.50Mb
Formato:
PDF
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