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Diseño y caracterización de amplificadores de potencia clase AB basados en transistores LDMOS para aplicaciones en lectores de RFID en la banda de 900 Mhz

dc.contributor.authorSaavedra Gómez, Héctor Javier
dc.date.accessioned2020-08-07T17:36:03Z
dc.date.available2020-08-07T17:36:03Z
dc.date.issued2008
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/659
dc.formatpdf
dc.format.extentxi, 81 p. :28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara.
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.titleDiseño y caracterización de amplificadores de potencia clase AB basados en transistores LDMOS para aplicaciones en lectores de RFID en la banda de 900 Mhz
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorValle Padilla, Juan Luis del
dc.contributor.directorReynoso Hernández, J Apolinar
dc.identificator7
dc.identifier.marc01323cam a2200241 a 4500
dc.coverage.placeofpublicationGuadalajara, Jalisco, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Guadalajara
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplineDiseúo Electrónico.
dc.rights.accessopenAccess


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SSIT000008849.pdf
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PDF
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