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Modelado no lineal de transistores GaN con aplicación al diseño de amplificadores de potencia de alta eficiencia clase F en banda S

dc.contributor.authorLeón Carmona, Jesús Leonardo
dc.date.accessioned2020-08-07T17:36:14Z
dc.date.available2020-08-07T17:36:14Z
dc.date.issued2009
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/663
dc.formatpdf
dc.format.extentx, 96 p. :28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara.
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.titleModelado no lineal de transistores GaN con aplicación al diseño de amplificadores de potencia de alta eficiencia clase F en banda S
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorLoo Yau, José Raúl
dc.contributor.directorReynoso Hernández, J Apolinar
dc.identificator7
dc.identifier.marc01337cam a2200241 a 4500
dc.coverage.placeofpublicationGuadalajara, Jalisco, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Guadalajara
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplineDiseúo Electrónico.
dc.rights.accessopenAccess


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SSIT000009058.pdf
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PDF
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