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Metodologías TCAD para diseñar diodos epitaxiales de recuperación rápida de silicio usando una estructura con contacto tipo mosaico P+

dc.contributor.authorAldrete Vidrio, Hector Eduardo
dc.date.accessioned2020-08-07T17:36:58Z
dc.date.available2020-08-07T17:36:58Z
dc.date.issued2002
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/677
dc.formatpdf
dc.format.extent120 p. :28 cm.
dc.language.isoeng
dc.publisherTesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Unidad Guadalajara.
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.titleMetodologías TCAD para diseñar diodos epitaxiales de recuperación rápida de silicio usando una estructura con contacto tipo mosaico P+
dc.typemasterThesis
dc.contributor.directorSantana Corte, Juan Martín
dc.contributor.directorValle Padilla, Juan Luis del
dc.identificator7
dc.identifier.marc01383cam a2200229 a 4500
dc.coverage.placeofpublicationGuadalajara, Jalisco, México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadUnidad Guadalajara
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedisciplineDiseúo Electrónico.
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT000003931.pdf
Tamaño:
79.26Mb
Formato:
PDF
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