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Estudio y modelación de transistores de capa fina basados en óxidos metálicos semiconductores amorfos (AOSTFTs)
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido, 2020) -
Estudio y modelación de transistores MOS nanométricos del tipo sin uniones
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica/Sección de Electrónica del Estado Sólido, 2017) -
Simulación circuital con transistores AOSTFT
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido, 2020)