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Diseño y fabricación de transistores de capas finas basados en Hf-In-ZnO y HfO2 de alta movilidad y bajo voltaje de operación

dc.contributor.authorHernandez Luna, Isai Salvador
dc.date.accessioned2022-01-26T01:39:25Z
dc.date.available2022-01-26T01:39:25Z
dc.date.issued2021
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/3634
dc.formatpdf
dc.format.extentxi, 108 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherThin film transistors||Semiconductors||Dielectric films||Metallic oxides||Dissertations, Academic
dc.titleDiseño y fabricación de transistores de capas finas basados en Hf-In-ZnO y HfO2 de alta movilidad y bajo voltaje de operación
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorEstrada del Cueto, Magali
dc.contributor.directorGarduño Vértiz, Salvador Ivan
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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Nombre:
SSIT0016717.pdf
Tamaño:
2.071Mb
Formato:
PDF
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