Dispositivos basados en In₀.₁₉Ga₀.₈₁N/GaN sobre Si(111) y Al₂O₃(1012)

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Fecha
2024
Autor
Marin Garcia, Carlos Alberto
Metadatos
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URI
https://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/5260
Colecciones
Ver/

http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
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