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Dispositivos basados en In₀.₁₉Ga₀.₈₁N/GaN sobre Si(111) y Al₂O₃(1012)

dc.contributor.authorMarin Garcia, Carlos Alberto
dc.date.accessioned2024-05-27T16:08:35Z
dc.date.available2024-05-27T16:08:35Z
dc.date.issued2024
dc.identifier.urihttps://repositorio.cinvestav.mx/handle/cinvestav/5260
dc.formatpdf
dc.format.extent100 p. : il. ; 28 cm.
dc.language.isospa
dc.publisherTesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4
dc.subject.classificationINGENIERÍA Y TECNOLOGÍA
dc.subject.otherNitrides||Materials science||Semiconductors::Materials||Dissertations, Academic
dc.titleDispositivos basados en In₀.₁₉Ga₀.₈₁N/GaN sobre Si(111) y Al₂O₃(1012)
dc.typedoctoralThesis
dc.contributor.directorSánchez Reséndiz, Víctor Manuel
dc.identificator7
dc.coverage.placeofpublicationCiudad de México
dc.description.institutionCINVESTAV
dc.description.unidadZacatenco-CDMX
dc.thesis.areaTecnología y Ciencias de la Ingeniería
dc.thesis.degreedepartmentIngeniería Eléctrica
dc.thesis.degreedisciplineSección de Electrónica del Estado Sólido
dc.rights.accessopenAccess


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SSIT0018305.pdf
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3.477Mb
Format:
PDF
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