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Sistema de evaluación de desarrollo de habilidades laparoscópicas basado en unidades de medición inercial (IMU) de 9 ejes
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Bioelectrónica, 2023)
Estabilización de un robot humanoide de arquitectura cerrada para caminado en superficies irregulares
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2024)
Control de sistemas conmutados mediante rechazo activo de perturbaciones
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2024)
Controladores de complianza virtual para teleoperación bilateral
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2023)
Control de un vehículo aéreo transportando una carga con cable de longitud variable
(Tesis (M.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2024)
Propuesta de uso de las señales electromiográficas para la rehabilitación funcional del miembro superior en el caso de EVC y amputados
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Bioelectrónica, 2024)
Transporte de una carga suspendida y un péndulo invertido sobre un cuadrirotor
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2024)
Predicción no lineal de robots móviles con retardos
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2024)
Control descentralizado para seguimiento de trayectorias en un manipulador aéreo
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Mecatrónica, 2024)
Dispositivos basados en In₀.₁₉Ga₀.₈₁N/GaN sobre Si(111) y Al₂O₃(1012)
(Tesis (D.C.)--Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del I.P.N. Departamento de Ingeniería Eléctrica. Sección de Electrónica del Estado Sólido, 2024)